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NAND Flash无法以覆盖原有无效数据的方式将新数据写入，必须先将区块内原有的无效数据抹除(Erase)后，才可以写入新的数据。但是，NAND Flash的最小写入单位是页(Page)；最小抹除单位是区块(Block, 1 Block = 64 or 128 Pages)，也就是说若要抹除数据则需要以整个区块为单位来抹除。

GC的运作机制，就是当区块内有需要被抹除的无效数据时，它会将区块内的有效数据复制、合并到另一个空闲的区块中，这样原来区块中的无效数据才能够以区块为单位进行抹除，抹除后就形成了一个空白区块(Free Block)。

假如Block X里，A-F 6个Page有数据，A、B、C要修改成A’、B’、C’；D、E、F的数据要删除，那么SSD的运作方式将会是：

(1) 将A’、B’、C’存入到空白的Page，并且标注A、B、C、D、E、F是Garbage

(2) 将A’、B’、C’另存到Block Y里的空白Page

(3) 执行Garbage Collect，抹除整个Block X，所有的Page都成为空白Page

GC的目的是要不断的清出更多的空白区块，以维持SSD的写入效能，因为有更多的空白区块，写入速度就不会变慢。但又因为NAND Flash的区块抹写次数(P/E Cycle)是有上限的，如果单一个区块不断被写入和抹除，该区块就会过度耗损，造成读写速度变慢，严重者甚至会损坏而产生坏块(Bad Block)。

所以GC设计除了要能高效率释放区块，还要和WL技术，以及TRIM指令完美地搭配，才能发挥最大的综效，兼顾读写效能和耐用度。