Pseudo SLC
pSLC技术是将MLC仿真成SLC的储存单元(Cell)结构,通过调整SSD的固件和算法,将原本1个储存单元存放2个位的MLC NAND Flash,仿真成1个储存单元只存放1个位的SLC储存模式。
pSLC重新设计MLC储存单元配置的方式,可以使SSD读写效能提升到SLC类似的水平,以及延长使用寿命,不过会需要牺牲MLC SSD一半的容量。
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen4 x4
连续读取: 最高 3,700 MB/s
连续写入: 最高 2,600 MB/s