NAND Flash的区块擦写次数(P/E Cycle)是有上限的，如果单一个区块(Block)不断被写入和抹除，该区块就会过度耗损，造成读写速度变慢，严重者甚至会损坏而产生坏块(Bad Block)。 WL技术在于使SSD中的每一个NAND Flash区块平均地被使用，避免数据只在某些区块写入或抹除，导致SSD因为NAND Flash里的坏块过多，而提早损坏。
WL的运作机制，是让SoC控制器通过WL的算法，去计算每一个区块的剩余抹写次数，并将新数据优先写入已抹除次数较少的区块。因为控制器能平均控制每一个区块的抹写次数，如此一来SSD就不会因为NAND Flash的某些区块过度抹写而提早耗损，因此WL技术可以增进SSD的耐用度和稳定性。
最多可选择 4 件产品进行比较。
搜寻产品范例:CL6 或 PJ1
依据欧盟施行的个人资料保护法，我们致力于保护您的个人资料并提供您对个人资料的掌握。
按一下「全部接受」，代表您允许我们置放 Cookie 来提升您在本网站上的使用体验、协助我们分析网站效能和使用状况，以及让我们投放相关联的营销内容。您可以在下方管理 Cookie 设定。 按一下「确认」即代表您同意采用目前的设定。
隐私权偏好设定中心
依据欧盟施行的个人资料保护法，我们致力于保护您的个人资料并提供您对个人资料的掌握。
按一下「全部接受」，代表您允许我们置放 Cookie 来提升您在本网站上的使用体验、协助我们分析网站效能和使用状况，以及让我们投放相关联的营销内容。您可以在下方管理 Cookie 设定。 按一下「确认」即代表您同意采用目前的设定。
管理同意设定
必要的Cookie
网站运行离不开这些 Cookie 且您不能在系统中将其关闭。通常仅根据您所做出的操作（即服务请求）来设置这些 Cookie，如设置隐私偏好、登录或填充表格。您可以将您的浏览器设置为阻止或向您提示这些 Cookie，但可能会导致某些网站功能无法工作。
__24D13UeUUM.png)
__24D13iSsBM.png)
__24D13Wp7Gw.jpg)
__24D13nZgBR.png)
__24D13SV5GR.png)
