Garbage Collection
垃圾数据回收机制
GC是SSD主要组件NAND Flash内存的储存空间管理机制，是把已经存在NAND Flash某位置的数据，转移到NAND Flash的其他位置，并将无用的数据抹除的过程，对于SSD的耐用度及效能，GC机制的设计优良与否至关重大。
NAND Flash无法以覆盖原有无效数据的方式将新数据写入，必须先将区块内原有的无效数据抹除(Erase)后，才可以写入新的数据。但是，NAND Flash的最小写入单位是页(Page)；最小抹除单位是区块(Block, 1 Block = 64 or 128 Pages)，也就是说若要抹除数据则需要以整个区块为单位来抹除。
GC的运作机制，就是当区块内有需要被抹除的无效数据时，它会将区块内的有效数据复制、合并到另一个空闲的区块中，这样原来区块中的无效数据才能够以区块为单位进行抹除，抹除后就形成了一个空白区块(Free Block)。
假如Block X里，A-F 6个Page有数据，A、B、C要修改成A’、B’、C’；D、E、F的数据要删除，那么SSD的运作方式将会是：
(1) 将A’、B’、C’存入到空白的Page，并且标注A、B、C、D、E、F是Garbage
(2) 将A’、B’、C’另存到Block Y里的空白Page
(3) 执行Garbage Collect，抹除整个Block X，所有的Page都成为空白Page
GC的目的是要不断的清出更多的空白区块，以维持SSD的写入效能，因为有更多的空白区块，写入速度就不会变慢。但又因为NAND Flash的区块擦写次数(P/E Cycle)是有上限的，如果单一个区块不断被写入和抹除，该区块就会过度耗损，造成读写速度变慢，严重者甚至会损坏而产生坏块(Bad Block)。
所以GC设计除了要能高效率释放区块，还要和WL技术，以及TRIM指令完美地搭配，才能发挥最大的综效，兼顾读写效能和耐用度。
NVMe™ SSD
960GB / 1920GB / 3840GB / 7680GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen4 x4
连续读取: 最高 6,600 MB/s
连续写入: 最高 3,500 MB/s
SATA SSD
240GB / 480GB / 960GB / 1920GB
NAND Flash: 3D TLC NAND flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 520 MB/s
连续写入: 最高 520 MB/s
NVMe™ SSD
3200GB / 3840GB / 6400GB / 7680GB / 12800GB / 15360GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen5 x4
连续读取:最高 14,000MB/s
连续写入:最高 7,500MB/s
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flas
接口: PCIe® Gen4 x4
连续读取: 最高 6,800 MB/s
连续写入: 最高 4,800 MB/s
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen4 x4
连续读取: 最高 3,700 MB/s
连续写入: 最高 2,600 MB/s
NVMe™ SSD
256GB / 512GB / 1024GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen4 x4
连续读取: 最高 3,700 MB/s
连续写入: 最高 2,600 MB/s
NVMe™ SSD
128GB / 256GB / 512GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen3 x4
连续读取: 最高 2,000 MB/s
连续写入: 最高 1,100 MB/s
NVMe™ SSD
128GB / 256GB / 512GB /1024GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen3 x4
连续读取: 最高 2,000 MB/s
连续写入: 最高 1,100 MB/s
NVMe™ SSD
128GB / 256GB / 512GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen3 x4
连续读取: 最高 2,000 MB/s
连续写入: 最高 1,100 MB/s
SATA SSD
128GB / 256GB / 512GB / 1024GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 510 MB/s
SATA SSD
128GB / 256GB / 512GB
NAND Flash: 3D TLC NAND flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 450 MB/s
SATA SSD
128GB / 256GB / 512GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 450 MB/s
NVMe™ SSD
128GB / 256GB / 512GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: PCIe® Gen3 x4
连续读取: 最高 2,000 MB/s
连续写入: 最高 1,100 MB/s
SATA
128GB / 256GB / 512GB / 1024GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 510 MB/s
SATA SSD
3840GB
NAND Flash: 3D TLC NAND flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 520 MB/s
连续写入: 最高 520 MB/s
SATA SSD
240GB / 480GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 520 MB/s
连续写入: 最高 520 MB/s
SATA SSD
240GB / 480GB / 960GB / 1920GB
NAND Flash:3D TLC NAND flash
接口:SATA 3 (6Gb/s)
连续读取:最高550 MB/s
连续写入:最高450 MB/s
SATA SSD
128G / 256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 510 MB/s
SATA SSD
128G / 256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 510 MB/s
SATA SSD
128G / 256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB
NAND Flash: 3D TLC NAND Flash
接口: SATA 3 (6Gb/s)
连续读取: 最高 550 MB/s
连续写入: 最高 510 MB/s
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