稳定性
日志记录

TrueLog 360

日志记录
断电保护

PLP

断电保护
垃圾资料回收机制

GC

垃圾资料回收机制
无效数据删除指令

TRIM

无效数据删除指令
耗损平均技术

WL

耗损平均技术

自动控温功能

TM

自动控温功能
过电压与电流保护

OVP/OCP

过电压与电流保护
低电源模式

ELPM

低电源模式
Wear Leveling

Wear Leveling

耗损平均技术

Wear Leveling

 

NAND Flash的区块擦写次数(P/E Cycle)是有上限的,如果单一个区块(Block)不断被写入和抹除,该区块就会过度耗损,造成读写速度变慢,严重者甚至会损坏而产生坏块(Bad Block)。 WL技术在于使SSD中的每一个NAND Flash区块平均地被使用,避免数据只在某些区块写入或抹除,导致SSD因为NAND Flash里的坏块过多,而提早损坏。

 

04-wl-01

 

WL的运作机制,是让SoC控制器透过WL的算法,去计算每一个区块的剩余抹写次数,并将新数据优先写入已抹除次数较少的区块。因为控制器能平均控制每一个区块的抹写次数,如此一来SSD就不会因为NAND Flash的某些区块过度抹写而提早耗损,因此WL技术可以增进SSD的耐用度和稳定性。

相关产品
CL4 M.2 2280

NVMe™ SSD

256GB / 512GB / 1024GB

NAND Flash: 3D TLC NAND Flash

接口: PCIe® Gen4 x4

连续读取: 最高 3,700 MB/s

连续写入: 最高 2,600 MB/s

CV8 2.5"

SATA SSD

128GB / 256GB / 512GB

NAND Flash: 3D TLC NAND flash

接口: SATA 3 (6Gb/s)

连续读取: 最高 550 MB/s

连续写入: 最高 450 MB/s

CVC M.2 2242

SATA SSD

128G / 256GB / 512GB / 1024GB / 2048GB

NAND Flash: 3D TLC NAND Flash

接口: SATA 3 (6Gb/s)

连续读取: 最高 550 MB/s

连续写入: 最高 510 MB/s

WeChat QRcode
洽询车

你的洽询车总计 0 件产品

比较清单

最多可选择 4 件产品进行比较。

依据欧盟施行的个人资料保护法,我们致力于保护您的个人资料并提供您对个人资料的掌握。
按一下「全部接受」,代表您允许我们置放 Cookie 来提升您在本网站上的使用体验、协助我们分析网站效能和使用状况,以及让我们投放相关联的营销内容。您可以在下方管理 Cookie 设定。 按一下「确认」即代表您同意采用目前的设定。

管理Cookies

隐私权偏好设定中心

依据欧盟施行的个人资料保护法,我们致力于保护您的个人资料并提供您对个人资料的掌握。
按一下「全部接受」,代表您允许我们置放 Cookie 来提升您在本网站上的使用体验、协助我们分析网站效能和使用状况,以及让我们投放相关联的营销内容。您可以在下方管理 Cookie 设定。 按一下「确认」即代表您同意采用目前的设定。

查看隐私权政策

管理同意设定

必要的Cookie

一律启用

网站运行离不开这些 Cookie 且您不能在系统中将其关闭。通常仅根据您所做出的操作(即服务请求)来设置这些 Cookie,如设置隐私偏好、登录或填充表格。您可以将您的浏览器设置为阻止或向您提示这些 Cookie,但可能会导致某些网站功能无法工作。