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NAND Flash的区块擦写次数(P/E Cycle)是有上限的，如果单一个区块(Block)不断被写入和抹除，该区块就会过度耗损，造成读写速度变慢，严重者甚至会损坏而产生坏块(Bad Block)。 WL技术在于使SSD中的每一个NAND Flash区块平均地被使用，避免数据只在某些区块写入或抹除，导致SSD因为NAND Flash里的坏块过多，而提早损坏。

 

04-wl-01

 

WL的运作机制，是让SoC控制器透过WL的算法，去计算每一个区块的剩余抹写次数，并将新数据优先写入已抹除次数较少的区块。因为控制器能平均控制每一个区块的抹写次数，如此一来SSD就不会因为NAND Flash的某些区块过度抹写而提早耗损，因此WL技术可以增进SSD的耐用度和稳定性。

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