Longevidad
Pseudo SLC
Pseudo SLC
Nivelación de desgaste
Nivelación de desgaste
Recolección de basura

Recolección de basura

TRIM
TRIM
S.M.A.R.T.
S.M.A.R.T.
Sobreprovisión
Sobreprovisión
CT
CT
Garbage Collection

Recogida de basura

Garbage Collection

 

La recogida de basura es el mecanismo de gestión de la capacidad de almacenamiento para el componente principal de los discos de estado sólido, es decir, el proceso de transferir los datos almacenados en un bloque particular a otro bloque del flash NAND mientras se borran los datos no útiles.

 

Garbage Collection

Como el flash NAND no puede sobrescribir datos previamente almacenados e ineficaces, los datos ineficaces originales en el bloque deben borrarse antes de que se puedan escribir nuevos datos. No obstante, la unidad de escritura más pequeña para el flash NAND es la página y la unidad mínima de borrado es el bloque; cada bloque contiene 64 o 128 páginas, lo que significa que el borrado de datos lo realizan los bloques.

 

Garbage Collection

 

Recogida de basura 10 La recogida de basura duplica los datos efectivos de los bloques y se integra en otro bloque disponible cuando es necesario borrar datos ineficaces; por lo tanto, el borrado por bloque se puede realizar para formar un bloque libre.

 

Garbage Collection

 

Recogida de basura 12 Si dentro del Bloque X, hay datos en las 6 páginas de A a F, si A, B y C deben revisarse como A', B' y C'; es necesario borrar los datos en D, E y F, funcionando después los discos de estado sólido de la siguiente manera:

 

Garbage Collection

(1) Guarde A', B' y C' en la página libre, mientras marca A, B, C, D, E y F como basura

 

(2) Luego guarde A', B' y C' en la página libre del bloque Y

 

(3) Ejecute recolectar basura, borre todo el bloque X y todas las páginas se convertirán en páginas libres.

 

El objetivo de la recogida de basura es eliminar continuamente más bloques libres para mantener la función de escritura de los discos de estado sólido, ya que cuantos más bloques libres haya, más rápida será la velocidad de escritura. Sin embargo, el ciclo P/E del bloque del flash NAND tiene límites. Si un solo bloque se somete a escritura y borrado constantes, se producirá un desgaste y pérdida excesivos. En última instancia, esto conduce a una disminución de la velocidad de lectura y escritura o, peor aún, puede provocar daños, lo que resulta en un bloque defectuoso.

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