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耗損平均技術

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NAND Flash的區塊抹寫次數(P/E Cycle)是有上限的，如果單一個區塊(Block)不斷被寫入和抹除，該區塊就會過度耗損，造成讀寫速度變慢，嚴重者甚至會損壞而產生壞塊(Bad Block)。 WL技術在於使SSD中的每一個NAND Flash區塊平均地被使用，避免資料只在某些區塊寫入或抹除，導致SSD因為NAND Flash裡的壞塊過多，而提早損壞。

 

04-wl-01

 

WL的運作機制，是讓SoC控制器透過WL的演算法，去計算每一個區塊的剩餘抹寫次數，並將新資料優先寫入已抹除次數較少的區塊。因為控制器能平均控制每一個區塊的抹寫次數，如此一來SSD就不會因為NAND Flash的某些區塊過度抹寫而提早耗損，因此WL技術可以增進SSD的耐用度和穩定性。

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